Bague de bord en SiC massif

Principales caractéristiques de performance

L'anneau de bord en SiC massif Semixlab est conçu pour répondre aux exigences rigoureuses de la production de semi-conducteurs de nouvelle génération. Ses performances en font un choix privilégié pour les chambres de gravure plasma des usines de fabrication de pointe :

● Excellente résistance au bombardement plasma

Fabriqué à partir de carbure de silicium solide de haute pureté, l'anneau de bord présente une résilience exceptionnelle au plasma haute densité, garantissant une usure minimale et une durée de vie prolongée des composants sous un bombardement ionique intense.

● Résistance supérieure à la corrosion par les gaz

Le matériau SiC offre une grande inertie chimique, résistant efficacement aux gaz de gravure corrosifs tels que Cl₂, CF₄ et SF₆ sans dégradation de surface, même dans des environnements à haute température.

● Résistance exceptionnelle aux chocs thermiques et aux contraintes thermiques

Avec une conductivité thermique de 120-150 W/m·K et un faible coefficient de dilatation thermique (~4.5×10⁻⁶ /K), la structure solide en SiC maintient la stabilité dimensionnelle et l'intégrité mécanique pendant les cycles thermiques rapides.

● Surface lisse, fonctionnement sans particules

Les techniques avancées de finition de surface garantissent une faible rugosité de surface (Ra ≤ 0.2 µm), minimisant la génération de particules et simplifiant les processus de nettoyage de la chambre, ce qui réduit les temps d'arrêt.

● Aucune déformation ni déformation au fil du temps

Contrairement aux anneaux de bord composites conventionnels, notre conception monolithique en SiC reste plate et dimensionnellement stable tout au long des cycles de processus prolongés, offrant des performances fiables sur de longues durées de vie.

Pourquoi choisir les anneaux de bord SiC Semixlab ?

Chez Semixlab, nous offrons une qualité supérieure, fruit de notre expertise et de notre innovation. Voici pourquoi les anneaux de bord SiC Semixlab se distinguent :

● Solutions sur mesure

Nous proposons une personnalisation complète en fonction des spécifications de votre processus, y compris les diamètres intérieurs/extérieurs, l'épaisseur et les revêtements ou textures de surface spéciaux, garantissant un ajustement parfait et des performances optimales dans votre chambre de gravure.

● Gamme complète de types

Semixlab prend en charge diverses plates-formes d'outils de gravure, notamment TEL, Lam, AMAT et les systèmes OEM personnalisés, avec des anneaux de bord standard et spécifiques à l'outil disponibles pour répondre à divers besoins de processus.

● Qualité stable, livraison rapide

Grâce à une fabrication certifiée ISO, un contrôle qualité strict et une chaîne d'approvisionnement rationalisée, nous garantissons des performances constantes des pièces, des délais courts et une livraison à temps pour que votre production continue sans retard.

Propriétés physiques de base du SiC solide

Application à la fabrication de semi-conducteurs

L'anneau de bord en SiC massif est un composant essentiel du procédé de gravure plasma des plaquettes de silicium. Il sert d'interface protectrice et structurelle entre la plaquette et la chambre. Placé sur le pourtour de la plaquette, ce composant assure la stabilité du procédé, protège le mandrin électrostatique (ESC) et réduit les risques de contamination en empêchant l'accumulation de particules. Il est particulièrement utile dans les environnements de gravure sèche de haute précision et de gravure ionique réactive (RIE) où la répétabilité du procédé, la protection de la chambre et la fiabilité à long terme sont essentielles.