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Anneaux de mise au point en SiC massif CVD
Les anneaux de focalisation en SiC massif CVD de Semixlab sont conçus pour les environnements de gravure plasma avancés. Ils offrent une stabilité plasma exceptionnelle, une contamination ultra-faible et une durée de vie prolongée. Fabriqués à partir de carbure de silicium haute densité par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), ces anneaux de focalisation présentent une résistance supérieure à l'érosion plasma et aux attaques chimiques, ce qui les rend idéaux pour les procédés de gravure critiques dans la fabrication de semi-conducteurs. Nous restons à votre disposition pour toute information complémentaire.
Description
L'avenir de la gravure sub-7 nm : rendement de 99.99999 %, pureté ultra-élevée, gravure HAR stable, une meilleure alternative aux anneaux de silicium
À l'ère des transistors 3D NAND et GAA à plus de 300 couches, les consommables traditionnels sont la principale cause des problèmes de rendement. Les anneaux de focalisation en SiC massif CVD de Semixlab sont conçus pour gérer le plasma haute densité nécessaire à la gravure à rapport d'aspect élevé (HAR). Ils créent un environnement stable et exempt de particules que les anneaux en silicium (Si) standard ne peuvent pas fournir.
Norme industrielle : Pourquoi les principaux fabricants de silicium passent au SiC solide
7-Nines (99.99999%) Metallic Purity: Using our proprietary Advanced Chemical Vapor Deposition process, we achieve total metallic impurities < 0.1 ppm. This plays a key role in avoiding charge-related defects and heavy metal pollution in advanced logic and memory chips.
Contrôle de précision du profil de bord (ERO) : Nos anneaux en SiC massifs maintiennent une résistance électrique stable et une conductivité thermique élevée (≥ 150 W/m·K). Cela crée une gaine de plasma uniforme au bord de la plaquette.
Cela résout directement les problèmes de dégradé sur les bords qui affectent l'uniformité des plaquettes de 12 pouces.
Résistance à l'érosion pour la gravure HAR : Dans les plasmas à haute énergie à base de fluor (CF4/CHF3) et de chlore (Cl2), le SiC solide présente un taux d'érosion inférieur de 80 % à celui du silicium monocristallin. Ceci allonge l'intervalle de maintenance préventive et réduit considérablement le coût total de possession.
Intégrité monolithique « solide » : contrairement au graphite revêtu de SiC, nos pièces sont composées à 100 % de SiC massif dense. Ceci élimine tout risque de microfissuration ou de délamination du revêtement, prévenant ainsi toute contamination particulaire catastrophique lors des cycles de gravure à haute puissance.
Optimisé pour les plateformes de gravure de nouvelle génération
Notre centre de fabrication utilise des machines CNC 5 axes à grande vitesse et la métrologie laser pour garantir une compatibilité à 100 % avec les spécifications des équipementiers pour :
● Gravure du conducteur : Gravure du poly-Si et du siliciure.
● Gravure diélectrique : contact à rapport d'aspect élevé (HAR) et gravure de tranchée.
● Compatibilité : Remplacement direct des plateformes Lam Research (Kiyo/Versys), Applied Materials (Centris) et TEL (Tactras/Vigus).
DONNÉES TECHNIQUES
| Paramètre technique | SiC solide CVD de Semixlab | Référence du secteur (Si) | L'avantage concurrentiel |
| Pureté chimique | 99.99999 % (7N) | 99.999 % (5N) | Élimine les fuites d'ions |
| Composition de phase | 100 % β-SiC (cubique) | Si monocristallin | résistance à la gravure isotrope |
| Densité Relative | ≥99.8 % (3.20 g/cm3) | N/D | Structure à porosité nulle |
| Dureté Vickers | 28 - 30 GPa | ~9 GPa | Résiste au bombardement ionique |
| Rugosité de surface | Ra <0.2 μm | Ra ~0.5 μm | Adhésion minimale aux polymères |
Applications
Principaux domaines d'application
Là où une pureté extrême et une grande résistance au plasma sont requises, notre SiC solide CVD fait office de norme industrielle :
● Mise à l'échelle des mémoires NAND et DRAM 3D : Conçu pour relever les défis de la gravure HAR (High Aspect Ratio), il offre la stabilité nécessaire pour graver plus de 300 couches sans distorsion du profil.
● Nœuds logiques inférieurs à 7 nm : Spécialement conçus pour les architectures FinFET et GAA, nous aidons les usines de fabrication à éliminer toute contamination métallique, protégeant ainsi le réseau cristallin délicat des transistors de nouvelle génération.
● Centre de semi-conducteurs de puissance : Qu'il s'agisse d'épitaxie SiC ou de gravure de tranchées profondes pour GaN, nos composants supportent les fortes charges thermiques de la production à large bande interdite.
● TSV et emballage avancé : Optimisé pour les procédés de traversée de silicium, assurant la régularité des parois latérales et la précision verticale nécessaires à l'intégration 2.5D/3D.
Nos Services
