Bras robotique en céramique SiC

Applications clés

Le bras robotisé en céramique SiC de Semixlab Semiconductor est conçu pour offrir une fiabilité et une propreté inégalées à travers de multiples étapes de traitement des plaquettes de semi-conducteurs. Son application couvre les processus de fabrication, de la production à la finition, où la précision, le contrôle de la contamination et l'intégrité des matériaux sont essentiels.

Dans les systèmes de manipulation et de transfert de plaquettes, le bras robotisé en SiC assure un déplacement stable et exempt de particules des plaquettes entre les chambres à vide, les ports de chargement et les FOUP. Sa surface ultra-lisse, polie miroir, prévient les micro-rayures et élimine toute contamination particulaire lors des mouvements robotisés à grande vitesse. Sa stabilité dimensionnelle sous vide et sous contrainte thermique lui permet de maintenir une précision de positionnement submillimétrique, essentielle pour l'alignement automatisé des plaquettes et la préparation avancée des procédés de lithographie.

Lors des procédés CVD et PECVD, le bras présente une résistance exceptionnelle aux environnements plasma et aux gaz réactifs tels que Cl₂ et HF, permettant son utilisation directe dans les systèmes de dépôt de plaquettes de silicium, de SiC ou de GaN. Même après une exposition prolongée à des températures supérieures à 1000 °C, la structure céramique en SiC conserve sa résistance mécanique et sa géométrie, assurant un transfert fiable des plaquettes dans et hors des chambres de traitement haute température avec un temps d'arrêt minimal pour maintenance.

Dans les modules de gravure et d'implantation ionique, le bras en SiC fonctionne parfaitement dans des atmosphères de plasma halogène agressives où les composants métalliques ou polymères se dégraderaient généralement. Son inertie chimique empêche la corrosion et le détachement de particules, garantissant une stabilité à long terme et une disponibilité accrue de l'outil. De même, lors des processus d'oxydation, de recuit et de diffusion, le faible coefficient de dilatation thermique du bras empêche toute déformation et préserve la précision d'alignement des plaquettes malgré des cycles de température extrêmes.

Le bras robotisé en céramique SiC est également largement utilisé dans les applications de polissage chimico-mécanique (CMP), de nettoyage et de post-traitement, où la compatibilité chimique et la pureté de la surface sont essentielles. Il résiste aux agents de nettoyage acides et alcalins, empêche la lixiviation ionique et élimine la contamination métallique, contribuant ainsi à une meilleure qualité de surface des plaquettes et à une réduction des défauts.

Enfin, dans la fabrication de semi-conducteurs de puissance SiC et GaN, ce bras robotisé devient un élément essentiel pour les dispositifs à large bande interdite de nouvelle génération. Sa compatibilité avec les plaquettes épitaxiales SiC et les réacteurs haute température minimise la contamination croisée, améliore la reproductibilité des procédés et accompagne la transition de l'industrie vers des dispositifs performants et économes en énergie. Que ce soit pour le transfert sous vide, l'épitaxie ou les systèmes de recuit haute température, le bras robotisé en céramique SiC de Semixlab garantit précision, pureté et longévité, même dans les conditions de fabrication les plus exigeantes.

Applications dans l'ensemble des gammes de semi-conducteurs

● Plateformes de traitement de plaquettes de 200 mm / 300 mm

● Fabrication de dispositifs de puissance SiC/GaN

● Systèmes de transfert sous vide à haute température

● Équipements LPCVD, PECVD, Epi et RTP

Avantage du matériau de base

Fabriqué à partir de céramiques SiC frittées haute densité, le bras robotisé offre :

● Stabilité thermique jusqu'à 1200 °C pour les procédés de four et d'épitaxie.

● Résistance chimique supérieure au HF, au Cl₂, à l'O₃ et à d'autres gaz agressifs.

● Fonctionnement ultra-propre avec une génération minimale de particules, idéal pour les environnements de classe 1.

● Faible dilatation thermique assurant une précision d'alignement inférieure au millimètre.

● Revêtement conducteur en SiC en option pour la protection contre les décharges électrostatiques et le contrôle des décharges électrostatiques.