Creuset en céramique SiC

Le creuset en céramique SiC sert de récipient de confinement et de réaction essentiel dans des processus tels que la croissance cristalline du SiC et du GaN, le dépôt épitaxial, la diffusion et le recuit à haute température, où la pureté, la stabilité et l'uniformité de la température déterminent directement le rendement des plaquettes et la qualité des cristaux.

Caractéristiques des matériaux

● Composition du matériau : SiC fritté ultra-pur ou CVD-SiC (≥99.9 %)

● Densité et microstructure : Structure entièrement dense, à grains fins et non poreuse pour une imperméabilité aux gaz supérieure

● Stabilité thermique : Excellentes performances jusqu'à 2000 °C sous atmosphères de gaz inertes ou réactifs

● Conductivité thermique : 120–200 W/m·K, assurant une uniformité de température supérieure

● Résistance à la corrosion : Stabilité exceptionnelle dans les gaz de procédé à base d’hydrogène, de chlore et d’halogènes

● Finition de surface : Polie miroir et nettoyée au plasma pour minimiser la génération de particules

Applications clés dans la fabrication de semi-conducteurs

Le creuset en céramique SiC joue un rôle essentiel dans plusieurs étapes de la fabrication des semi-conducteurs, notamment :

1. Croissance cristalline et épitaxie

Utilisés dans les systèmes de croissance épitaxiale PVT (transport physique en phase vapeur) et CVD, les creusets en SiC fournissent un conteneur stable et non réactif pour les matériaux sources et les cristaux en croissance.

Leur pureté élevée et leur coefficient de dilatation thermique adapté minimisent la contamination et les contraintes, assurant une formation cristalline sans défaut pour les substrats SiC, GaN et Ga₂O₃.

2. Diffusion et recuit à haute température

Lors des traitements thermiques, des procédés de diffusion et d'oxydation, les creusets en SiC conservent leur forme et leur intégrité chimique sous des cycles thermiques extrêmes, empêchant le dégazage et la libération de particules qui peuvent compromettre la qualité des plaquettes.

3. Frittage des matériaux et traitement des poudres

Les creusets en SiC sont également idéaux pour le frittage de poudres de qualité semi-conductrice, offrant une inertie chimique à haute température et une stabilité dimensionnelle sous vide ou sous atmosphère contrôlée.

Avantages de Semixlab

Chez Semixlab Semiconductor, nous fournissons bien plus que de simples composants : nous proposons des solutions d'ingénierie complètes pour répondre aux exigences rigoureuses de la fabrication de semi-conducteurs.

1. Conception personnalisée

● Géométrie du creuset, épaisseur et configuration d'entrée de gaz sur mesure.

● Compatible avec les principaux systèmes de croissance cristalline et CVD (LPE, PVT, AIXTRON, Veeco, etc.).

2. Consultation technique

● Des scientifiques des matériaux et des ingénieurs des procédés internes possédant plus de 20 ans d'expérience dans l'industrie.

● Assistance pour la conception thermique, la simulation des flux de gaz et l'adaptation des processus.

3. Assurance qualité avant livraison

● Chaque creuset fait l’objet d’un contrôle de précision dimensionnelle, d’un test d’étanchéité à l’hélium et d’une analyse de la rugosité de surface.

● Revêtement protecteur CVD et services de polissage miroir en option pour une durée de vie et une propreté accrues.

Le creuset en céramique SiC de Semixlab établit une nouvelle référence en matière de stabilité thermique, de pureté et de durabilité chimique pour la fabrication de semi-conducteurs de pointe. Grâce à des options de conception personnalisées, un service de conseil technique et un contrôle rigoureux avant expédition, Semixlab garantit que chaque produit répond aux exigences élevées des applications semi-conductrices haute température et haute pureté. Nous restons à votre disposition pour toute question.