Anneaux d'étanchéité en graphite isostatique de haute pureté
Les bagues d'étanchéité en graphite isostatique haute pureté de Semixlab sont conçues pour assurer un fonctionnement stable et sans contamination des équipements de fabrication de semi-conducteurs de pointe. Fabriquées à partir de graphite pressé isostatiquement ultra-pur, ces bagues garantissent une étanchéité fiable dans les environnements à haute température, sous vide poussé et chimiquement agressifs, fréquemment rencontrés lors des procédés d'épitaxie, CVD/LPCVD/PECVD, de diffusion, d'oxydation, de RTP et de gravure. Les bagues d'étanchéité en graphite de Semixlab contribuent à maintenir la stabilité des procédés, à réduire les risques de contamination par des particules et des métaux et à prolonger les cycles de maintenance des équipements. N'hésitez pas à nous contacter pour toute question.
Description
Les anneaux d'étanchéité en graphite isostatique haute pureté de Semixlab sont fabriqués à partir de graphite pressé isostatiquement ultra-pur. Ces anneaux d'étanchéité offrent des performances d'étanchéité stables et à faible contamination qui soutiennent directement la fiabilité des processus, la constance du rendement et la disponibilité des équipements dans les processus de fabrication de plaquettes de pointe.
Dans les systèmes d'épitaxie, où le contrôle précis du débit de gaz, de la stabilité de la pression et de l'uniformité thermique est essentiel, les anneaux d'étanchéité en graphite isostatique haute pureté de Semixlab jouent un rôle crucial dans le maintien de l'intégrité du réacteur à des températures soutenues dépassant souvent 1000 °C. Installés aux interfaces de la chambre, aux limites d'étanchéité et aux joints rotatifs ou fixes au sein de la zone chaude, ces anneaux d'étanchéité présentent une dilatation thermique faible et isotrope, leur permettant de conserver leur stabilité dimensionnelle lors de cycles thermiques répétés. Leur teneur exceptionnellement faible en impuretés métalliques minimise le risque d'incorporation accidentelle de dopants ou de contamination métallique, contribuant ainsi à garantir une épaisseur de couche épitaxiale uniforme, des profils de dopage contrôlés et une croissance cristalline de haute qualité, tant pour le silicium que pour les semi-conducteurs composés.
Dans les applications CVD, LPCVD et PECVD, les composants d'étanchéité sont exposés à une combinaison de hautes températures, de vide, de gaz précurseurs corrosifs et, dans certains cas, d'environnements plasma. Les bagues d'étanchéité en graphite isostatique haute pureté de Semixlab sont largement utilisées pour les joints de portes de chambres, les structures d'isolation des gaz et les zones de transition entre les régions chaudes et froides du réacteur. La résistance chimique intrinsèque du graphite haute pureté assure un fonctionnement stable en présence de gaz de procédé agressifs tels que HCl, NH₃ et les précurseurs halogénés, tandis que sa microstructure dense et isotrope réduit la génération de particules et la dégradation mécanique, prolongeant ainsi sa durée de vie. Comparées aux solutions d'étanchéité métalliques, les bagues d'étanchéité en graphite offrent une résistance supérieure à la corrosion et à la fatigue thermique, contribuant à des intervalles de maintenance plus longs et à une meilleure reproductibilité des procédés en production de masse.
La diffusion à haute température, l'oxydation et les traitements thermiques rapides imposent des exigences strictes en matière d'étanchéité, en raison des températures extrêmes, des vitesses de montée en température rapides et des cycles de traitement fréquents. Dans ces environnements, les bagues d'étanchéité en graphite isostatique haute pureté de Semixlab garantissent une étanchéité constante à des températures supérieures à 1100 °C, assurant un contrôle atmosphérique stable à l'intérieur des tubes de four et des chambres de traitement thermique rapide. Les propriétés mécaniques uniformes conférées par le pressage isostatique contribuent à prévenir la concentration des contraintes localisées, les microfissures et la déformation du joint lors des cycles rapides de chauffage et de refroidissement. Elles contribuent ainsi à des profils de diffusion des dopants stables, à une croissance uniforme de l'oxyde et à des résultats de traitement thermique reproductibles, essentiels à la fabrication de dispositifs logiques et de mémoire avancés.
Dans les procédés de gravure, notamment la gravure sèche utilisant des réactifs halogénés et des environnements assistés par plasma, des joints d'étanchéité sont indispensables pour maintenir l'intégrité du vide tout en limitant la génération de particules et la dégradation chimique. Les joints d'étanchéité en graphite isostatique haute pureté de Semixlab sont généralement utilisés dans les zones non directement exposées au plasma, telles que les interfaces d'étanchéité périphériques de la chambre et les zones d'isolation structurelle. Associés à une densification de surface appropriée ou à des revêtements protecteurs, ces joints d'étanchéité offrent une résistance fiable aux gaz de gravure corrosifs et aux contraintes thermiques, garantissant des conditions stables dans la chambre et réduisant les risques de pertes de rendement liées à la contamination.
Conçus pour garantir la pureté des matériaux, la stabilité structurelle et une fiabilité à long terme, les joints d'étanchéité en graphite isostatique haute pureté de Semixlab sont compatibles avec les technologies de revêtement avancées et s'intègrent facilement aux architectures complexes des équipements semi-conducteurs. Ils constituent ainsi une solution fiable pour les technologies de pointe comme pour les technologies matures. En assurant une étanchéité constante même dans les conditions de production les plus exigeantes, Semixlab aide les fabricants de semi-conducteurs à optimiser leurs rendements, l'utilisation de leurs équipements et à réduire leurs coûts totaux de possession. Nous espérons devenir votre partenaire de confiance en Chine sur le long terme.
DONNÉES TECHNIQUES
| Propriétés physiques du graphite isostatique | ||
| Propriétés | Unité | Valeur typique |
| Densité apparente | g / cm³ | 1.83 |
| Dureté | HSD | 58 |
| Résistivité électrique | μΩ.m | 10 |
| Résistance à la flexion | MPa | 47 |
| Résistance à la compression | MPa | 103 |
| Résistance à la traction | MPa | 31 |
| Module de Young | GPa | 11.8 |
| Dilatation thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Conductivité thermique | F·m-1·K-1 | 130 |
| Taille moyenne des grains | um | 8-10 |
| Porosité | % | 10 |
| Teneur en cendres | ppm | ≤5 (après purification) |
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