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Bain de quartz semi-conducteur
Détail rapide:
1. Autres noms : cuve à quartz semi-conductrice, bain de quartz pour semi-conducteur, cuve à quartz pour semi-conducteur.
2. Application : Le bain de quartz pour semi-conducteurs est un composant de haute pureté et résistant à la corrosion, spécialement conçu pour le nettoyage de précision et le traitement chimique dans la fabrication de semi-conducteurs. Compatible avec les systèmes WS-620C/WS-820C/WS-820L, ce bain de quartz fonctionne à haute température (jusqu'à 175 °C) et est optimisé pour une utilisation avec des solutions d'acide phosphorique (H₃PO₄), garantissant des performances exceptionnelles lors des processus critiques de nettoyage des plaquettes.
3. Paramètres de base :
Quartz fondu (>99.99% SiO₂).
Inertie chimique exceptionnelle à H₃PO₄ (acide phosphorique) à températures élevées, empêchant la dégradation ou la génération de particules.
Résiste à un fonctionnement continu à 160°C et à des températures de pointe de 175°C, tout en maintenant l'intégrité structurelle et la stabilité dimensionnelle.
Description
Le bain de quartz pour semi-conducteurs est un composant de haute pureté et résistant à la corrosion, spécialement conçu pour le nettoyage de précision et le traitement chimique dans la fabrication de semi-conducteurs. Compatible avec les systèmes WS-620C/WS-820C/WS-820L, ce bain de quartz fonctionne à haute température (jusqu'à 175 °C) et est optimisé pour une utilisation avec des solutions d'acide phosphorique (H₃PO₄), garantissant des performances exceptionnelles lors des processus critiques de nettoyage des plaquettes.
Fonctionnalités clés
Supériorité matérielle
Quartz haute pureté : Fabriqué à partir de quartz synthétique fondu (> 99.99 % SiO₂), garantissant une contamination minimale et une résistance aux chocs thermiques.
Résistance à l'acide
Inertie chimique exceptionnelle à H₃PO₄ (acide phosphorique) à températures élevées, empêchant la dégradation ou la génération de particules.
Stabilité thermique
Résiste à un fonctionnement continu à 160°C et à des températures de pointe de 180°C, tout en maintenant l'intégrité structurelle et la stabilité dimensionnelle.
Avantages en termes de performances
Contrôle de la contamination : la finition de surface ultra-lisse minimise l'adhérence des particules, essentielle pour les processus de nœuds semi-conducteurs submicroniques.
Longévité : La résistance du quartz à la corrosion acide et à la fatigue thermique prolonge la durée de vie, réduisant ainsi les temps d'arrêt et les coûts de maintenance.
Cohérence du processus : la conductivité thermique stable assure une distribution uniforme de la température, améliorant ainsi l'efficacité du nettoyage et la répétabilité.
Pourquoi choisir le bain de quartz semi-conducteur de Semixlab ?
Qualité de qualité semi-conductrice : Produit dans un environnement de salle blanche pour répondre aux normes SEMI.
Solutions sur mesure : conceptions personnalisées disponibles pour répondre aux exigences spécifiques du processus.
Fiabilité : Des tests de qualité rigoureux garantissent la conformité aux exigences de l'industrie des semi-conducteurs.
Spécifications techniques
| propriété mécanique | Densité (g/cm3) | 2.2 |
| Dureté de Moh | 6-7 | |
| Résistance à la compression (MPa) | 1100 | |
| Résistance à la traction (N/mm2) | 50 | |
| Résistance à la flexion (N/mm2) | 65 | |
| Résistance à la torsion (N/mm2) | 30 | |
| Module de Young (MPa) | MONITORING4 | |
| Le coefficient de Poisson | 0.16 | |
| Propriétés thermiques | Coefficient de dilatation thermique (20~320℃,k-1) | MONITORING-7 |
| Conductivité thermique (20℃,W·m-1k-1) | 1.4 | |
| Chaleur spécifique (20℃, J·kg-1k-1) | 670 | |
| Point de ramollissement (℃) | 1700 | |
| Point de recuit (℃) | 1180 | |
| Point de déformation (℃) | 1080 | |
| Propriété électrique | Résistivité électrique (Ω·m) | MONITORING16(20 ℃) |
| Constante diélectrique (10 GHz) | 3.74 | |
| Perte diélectrique (10 GHz) | 0.0002 | |
| Rigidité diélectrique (V·m-1) | MONITORING7 |
Applications
Nettoyage des plaquettes : élimination de la résine photosensible, des résidus et des contaminants dans les solutions à base de H₃PO₄ après gravure ou lithographie.
Procédés à haute température : adaptés aux étapes avancées de fabrication de semi-conducteurs nécessitant des produits chimiques agressifs à des températures élevées.
Compatibilité : Idéal pour les systèmes WS-620C/WS-820C/WS-820L dans les usines produisant des dispositifs logiques, de mémoire ou d'alimentation.
