Les Catégories
Pièces en quartz
Nacelle à plaquettes de quartz semi-conductrices
Nacelle à plaquettes de quartz semi-conductrices

Nacelle à plaquettes de quartz semi-conductrices


Détail rapide:

1. Autres noms : cuve à quartz semi-conductrice, bain de quartz pour semi-conducteur, cuve à quartz pour semi-conducteur.

2. Application : Le bateau à plaquettes de quartz semi-conducteur pour les processus à haute température tels que la diffusion, l'oxydation, le CVD, le recuit, etc., dans la fabrication de semi-conducteurs.

3. Paramètres de base :

Quartz ultra-haute pureté (>99.99% SiO₂) : évite la contamination par les ions métalliques (Na+, K+, Fe³+, etc.) et répond aux exigences de propreté des procédés avancés (nœuds <5nm).

Résistance à haute température : température de fonctionnement continue 1200℃, résistance à la température instantanée 1300℃.

Chimiquement inerte : résistant aux gaz de procédé tels que HCl, H₂, O₂, SiH₄ et aux environnements acides/alcalins. Non corrosif pour une utilisation à long terme.

Description

Les nacelles de plaquettes en quartz Semixlab Semiconductor sont des outils de support essentiels conçus pour les procédés à haute température tels que la diffusion, l'oxydation, le CVD, le recuit, etc., dans la fabrication de semi-conducteurs. Fabriquées en quartz synthétique de haute pureté, elles offrent une excellente résistance aux températures élevées, une stabilité chimique et un faible coefficient de dilatation thermique. Elles permettent de supporter les plaquettes de manière stable dans des environnements de traitement difficiles, garantissant ainsi la régularité du processus et le rendement du produit.

Équipement applicable : Compatible avec tous les types de fours de diffusion horizontaux/verticaux (fours de diffusion horizontaux/verticaux), systèmes LPCVD et équipements de traitement thermique rapide (RTP).

Assurance de la qualité

Strict quality control: 100% helium mass spectrometry leak detection (leakage rate <1×10⁻⁹ mbar·L/s). Material purity report (ICP-MS test) is issued for each batch.

Normes de certification : Conforme aux spécifications SEMI F47, via la certification du système de gestion de la qualité ISO 9001:2015.

Durée de vie : la durée de vie moyenne dans des conditions normales est supérieure à 2 ans (en fonction de la fréquence du processus et des conditions de température).

Pourquoi choisir notre bateau en quartz ?

Services personnalisés : Taille et construction personnalisées selon le modèle d'équipement (TEL, Kokusai, ASM, etc.) et les exigences du processus.

Réponse rapide : le délai de livraison standard est de 3 semaines, les commandes urgentes peuvent être réduites à 10 jours ouvrables.

Réseau de service mondial : Fournir des conseils techniques, des conseils d'installation et une assistance de maintenance après-vente.Spécifications des matériaux.

Spécifications techniques

Spécification du projet

Synthèse de matériaux Quartz fondu

Pureté ≥ 99.99 % SiO₂

Compatibilité de taille de plaquette 8", 12" (peut être personnalisé 6" ou 18")

Température de fonctionnement ≤1200°C (continu) / 1300°C (pic)

Coefficient de dilatation thermique (CTE) 0.55×10⁻⁶/°C (20-1000°C)

Rugosité de surface (Ra) ≤ 0.2 μm

Capacité standard 25/50/100 comprimés

Gaz de procédé applicables O₂, N₂, H₂, Ar, SiH₄, HCl, etc.

propriété mécanique Densité (g/cm3) 2.2
Dureté de Moh 6-7
Résistance à la compression (MPa) 1100
Résistance à la traction (N/mm2) 50
Résistance à la flexion (N/mm2) 65
Résistance à la torsion (N/mm2) 30
Module de Young (MPa) MONITORING4
Le coefficient de Poisson 0.16
Propriétés thermiques Coefficient de dilatation thermique (20~320℃,k)-1) MONITORING-7
Conductivité thermique (20℃,W·m-1k-1) 1.4
Chaleur spécifique (20℃, J·kg-1k-1) 670
Point de ramollissement (℃) 1700
Point de recuit (℃) 1180
Point de déformation (℃) 1080
Propriété électrique Résistivité électrique (Ω·m) MONITORING16(20 ℃)
Constante diélectrique (10 GHz) 3.74
Perte diélectrique (10 GHz) 0.0002
Rigidité diélectrique (V·m-1) MONITORING7
Applications

Oxydation/diffusion à haute température : dopage du silicium (phosphore, diffusion du bore), croissance de l'oxyde de grille.

Dépôt de couches minces : silicium polycristallin LPCVD, dépôt de nitrure de silicium (Si₃N₄).

Procédé de recuit : recuit après implantation ionique (RTA), alliage métallique.

Semi-conducteur de troisième génération : procédé d'épitaxie au carbure de silicium (SiC), nitrure de gallium (GaN).

Avantage concurrentiel

1. Caractéristiques matérielles

Quartz ultra-haute pureté (>99.99% SiO₂) : évite la pollution par les ions métalliques (Na+, K+, Fe³+, etc.) et répond aux exigences de propreté des procédés avancés (nœuds <5nm).

Résistance à haute température : température de fonctionnement continue de 1200°C, résistance à la température instantanée de 1300°C, aucun risque de déformation ou de cristallisation.

Inertie chimique : Résiste aux gaz de procédé tels que HCl, H₂, O₂, SiH₄ et aux environnements acides/alcalins. Non corrosif en utilisation prolongée.

2. Conception de précision

Optimiser la structure :

La précision de l'espacement des fentes est de ± 0.05 mm, ce qui garantit un positionnement précis des plaquettes (8/12 pouces) et empêche les rayures ou les déplacements.

Conception résistante aux chocs thermiques, s'adapte à la montée et à la descente rapides (taux de chauffage ≤ 20 °C/min).

Faible formation de particules : la surface est polie avec une précision ultra-précise (Ra ≤ 0.2 μm) pour réduire la fixation et la chute des particules.

3. Configuration diversifiée

Capacité en option : prend en charge 25 pièces, 50 pièces, 100 pièces et d'autres spécifications standard, peut également être personnalisé avec un numéro d'emplacement non standard.

Adaptation de type : bateau ouvert, bateau fermé ou type de bateau spécial (comme la conception d'un canal de dérivation du fond du bateau).

QFP

Q1 : Pouvez-vous fournir une taille non standard ou une conception spéciale ?

A1 : Semixlab prend en charge des services personnalisés, notamment l'ajustement de la taille, la limite supérieure de température (mise à niveau matérielle requise) ou le type d'interface. Veuillez contacter l'équipe technique de Semixlab pour toute demande spécifique.

Q2: combien de temps est le délai d'exécution?

A2 : Le délai de livraison pour les produits standards est de 4 à 6 semaines, et le délai de conception et de vérification pour les produits personnalisés est de 2 à 3 semaines.

Q3 : Fournissez-vous un support technique après-vente ?

A3 : Oui, nous offrons des services de conseil technique et d'intervention d'urgence à vie. En cas de problème d'installation ou d'utilisation, l'équipe d'assistance est joignable à tout moment par e-mail ou par téléphone.

Q4 : Le produit est-il conforme aux normes de l’industrie des semi-conducteurs ?

A4 : Oui, le processus de production est conforme aux normes SEMI et est certifié par le système de gestion de la qualité ISO 9001. Chaque lot est testé pour l'étanchéité à l'air, la résistance à la température et la pureté avant de quitter l'usine.

DEMANDE DE DEVIS

Catégories populaires