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Disque de jeu revêtu de SiC
Le disque revêtu de SiC, soigneusement conçu par Semixlab, répond aux exigences strictes des clients du secteur des semi-conducteurs en matière de résistance aux hautes températures, de résistance à la corrosion et de faible pollution des composants utilisés dans les procédés épitaxiaux à haute température tels que le dépôt électrochimique en phase vapeur (MOCVD). Ce produit est composé d'un revêtement en carbure de silicium (SiC) de haute pureté et d'un matériau en graphite de haute qualité, qui offrent une excellente stabilité thermique et une inertie chimique exceptionnelle, et peuvent améliorer considérablement la stabilité du procédé et la cohérence des couches de films épitaxiaux.
Description
Composition du disque revêtu de SiC
Le disque de support de wafer revêtu de SiC Semixlab est conçu pour l'équipement MOCVD d'Aixtron. Il se compose principalement des deux éléments suivants :
1. Matériau du substrat : graphite isostatique de haute pureté
Caractéristiques du matériau : conductivité thermique extrêmement élevée (jusqu'à 180 W/m·K), forte stabilité à haute température, pas facile à déformer ou à fissurer.
Avantages : Offre une bonne uniformité thermique et une bonne résistance structurelle aux plaquettes, ce qui constitue une base importante pour garantir la cohérence du processus de croissance.
2. Revêtement de surface : dépôt CVD de SiC (carbure de silicium) de haute pureté
Méthode de dépôt : Le procédé CVD assisté par plasma ou CVD thermique est utilisé et l'épaisseur du revêtement est contrôlée entre 50 et 200 µm.
Description des caractéristiques : La couche de surface est dense et sans pores, avec une résistance mécanique de dureté Mohs proche de 9, et est extrêmement résistante à la corrosion et aux chocs à haute température.
Pourquoi choisir Semixlab ?
Si vous cherchez:
● Disque de jeu revêtu de SiC haute performance pour systèmes Aixtron.
● Solutions de transport prenant en charge les tailles personnalisées, les services de remise à neuf et les environnements de corrosion à haute température.
● Composants de haute qualité qui améliorent le rendement MOCVD et prolongent les cycles de stabilité du processus.
Contactez-nous dès maintenant pour obtenir notre devis et nos spécifications techniques. Nous proposons une livraison et un support technique à l'international pour vous aider à déployer rapidement votre solution sur votre ligne de production.
DONNÉES TECHNIQUES
Analyse des propriétés physiques clés
1. Résistance à haute température
La température de fonctionnement maximale peut atteindre 1600 XNUMX °C et plus. La structure du revêtement résiste aux fissures et aux décollements dus aux contraintes thermiques et peut supporter les cycles longs du dépôt mécanique en phase vapeur (MOCVD).
2. Conductivité thermique et uniformité thermique
La combinaison substrat + revêtement améliore l'efficacité de la conduction thermique et évite les défauts de croissance des plaquettes dus à une chaleur inégale. La régularité de la conduction thermique assure une répartition uniforme de l'épaisseur et de la composition du dépôt, et améliore le rendement.
3. Résistance à la corrosion chimique
Le revêtement résiste efficacement aux gaz hautement corrosifs du procédé MOCVD, tels que l'hydrogène, l'ammoniac, le TMGa et le TMAl. Le matériau lui-même est une structure β-SiC très dense, et il ne se produit pratiquement aucune réaction secondaire avec le gaz de réaction.
4. Contrôle des particules de surface
La surface du revêtement présente une faible rugosité (Ra < 0.5 μm) et est difficile à absorber ou à décoller. Elle réduit la contamination par les microparticules, particulièrement adaptée aux procédés de fabrication de plaquettes de grande taille (6 pouces et plus).
Applications
Scénarios d'application des produits et leurs fonctions
1. Conçu spécifiquement pour la structure du réacteur planétaire Aixtron
Applicable aux chambres de réaction des structures de plateau tournant planétaire telles que AIX 200 et AIX 2800G4.
La structure du disque est conçue avec précision pour assurer la symétrie thermique et l'équilibre du flux d'air de la plaquette pendant la rotation.
2. Rôle important dans l'épitaxie des semi-conducteurs composés
Applicable à la croissance épitaxiale MOCVD de divers matériaux composés III-V, y compris, mais sans s'y limiter :
● GaN/AlGaN : pour LED, lasers, dispositifs de puissance.
● AlN, InGaN : pour LED UV et dispositifs haute fréquence.
● Épitaxie GaAs/InP : pour les dispositifs électroniques à grande vitesse et les puces de communication laser.
Chaîne industrielle de l'épitaxie des puces semi-conductrices :
Boutique de produits Semixlab
Magasins de disques revêtus de SiC Semixlab
