Élément chauffant en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

Produits Détails

Le réchauffeur MOCVD en graphite revêtu de SiC combine l'excellente conductivité thermique du graphite avec la résistance aux températures élevées et à la corrosion des revêtements SiC, et est largement utilisé dans les équipements de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) pour garantir la stabilité et la haute pureté dans les processus de croissance par épitaxie de plaquettes.

Caractéristiques du produit de chauffage MOCVD en graphite revêtu de SiC

1. Pureté et stabilité chimique ultra élevées

Pureté ≥ 99.99995 % : notre réchauffeur en graphite est préparé sous chloration à haute température grâce au processus CVD, ce qui évite efficacement la contamination par des impuretés métalliques et répond à la demande d'environnements ultra-propres dans la fabrication de semi-conducteurs.

Corrosion anti-chimique : La dureté dense et élevée du revêtement SiC (dureté Vickers de 2500-2800) peut résister à l'érosion des acides, des alcalis, des sels et des solvants organiques, ce qui prolonge la durée de vie de l'équipement dans l'environnement de gaz corrosif.

2. Excellente résistance aux hautes températures

Stabilité à haute température : il peut supporter jusqu'à 3000°C en atmosphère inerte, un fonctionnement stable jusqu'à 2200°C en environnement sous vide et 1600-1700°C en environnement oxydant, ce qui convient aux conditions extrêmes de la chambre de réaction MOCVD.

Faible coefficient de dilatation thermique (4.5 x 10-⁶K-¹) : cette caractéristique du réchauffeur en graphite MOCVD réduit efficacement la fissuration ou le pelage du revêtement en raison des changements de température, garantissant l'intégrité structurelle lors de cycles thermiques à long terme.

3. Performances de gestion thermique optimisées

Conductivité thermique élevée (200-300 W/mK) : La conductivité thermique élevée du radiateur MOCVD en graphite détermine que le produit peut transférer la chaleur rapidement et uniformément pour obtenir une distribution de température de surface de plaquette cohérente (±1°C), améliorant ainsi efficacement l'uniformité de la couche épitaxiale.

Conception de champ d'écoulement de gaz laminaire : après une itération et une mise à niveau technologiques continues, la douceur de la surface de notre réchauffeur MOCVD (Ra ≤ 0.8 μm) et l'optimisation de la géométrie garantissent une distribution uniforme des gaz réactifs et réduisent la non-uniformité du dépôt causée par la turbulence.

Comparaison des paramètres techniques et avantages

Pourquoi Semixlab ?

Personnalisation : Semixlab s'engage à fournir des produits et des services techniques sur mesure à ses clients. Nous prenons en charge la personnalisation de tailles non standard (jusqu'à 360 mm de diamètre) et d'épaisseurs de revêtement (20 à 500 µm) afin de répondre à une large gamme de besoins en équipements.

Certification mondiale : Notre réchauffeur en graphite revêtu de SiC est conforme à la norme SEMI, certifié ISO 9001, et nos produits sont principalement exportés vers l'Europe et les États-Unis, ainsi que vers le Japon et la Corée du Sud, avec un avantage prix/performance significatif.

Synergie technique : Semixlab entretient depuis longtemps une étroite coopération avec les meilleurs instituts de recherche en Chine, en utilisant des technologies de revêtement brevetées (telles que le procédé SiC³ de CGT Carbon) pour optimiser les densités de revêtement et la résistance aux chocs thermiques.