Bateau à plaquettes de quartz de haute pureté

La nacelle de wafer en quartz haute pureté est fabriquée à partir de sable de quartz synthétique par fusion à l'arc. Ce matériau présente un très faible coefficient de dilatation thermique et une excellente résistance aux chocs thermiques, garantissant ainsi l'absence de risque de déformation ou de fissuration lors des cycles rapides de montée et de descente. Sa surface est polie avec précision pour réduire la pollution particulaire et est adaptée aux environnements difficiles et propres de la fabrication de semi-conducteurs. Ce produit est personnalisable (longueur de 100 à 500 mm, nombre de fentes de 2 à 24) et s'adapte à différentes tailles de wafer (de 4 à 12 pouces).

1. Caractéristiques du matériau de base

Procédé de fusion à l'arc de sable de quartz synthétique

À partir de sable de quartz ultra-pur (pureté SiO₂ ≥ 99.999 %), une structure en verre de quartz amorphe est formée par fusion à l'arc. Ce procédé élimine les défauts aux joints de grains, améliore considérablement l'uniformité du matériau et garantit la stabilité des waferboats à haute température (≤ 1250 °C).

Coefficient de dilatation thermique ultra faible

Le facteur de dilatation thermique est aussi bas que 5.5 × 10^-7K^-1(20-300 °C), permettant un changement de taille quasi nul lors des montées et descentes rapides en température (par exemple, 200 °C/min dans les procédés semi-conducteurs), évitant ainsi les microfissures ou les déformations dues aux contraintes thermiques.

Optimisation de la résistance aux chocs thermiques

Grâce au processus de recuit à gradient, la différence de température de tolérance aux chocs thermiques peut atteindre 1200℃ → température ambiante pendant plus de 100 cycles sans fissuration, répondant aux exigences strictes de l'implantation ionique, du recuit rapide et d'autres processus.

2. Usinage de précision et traitement de surface

Technologie de polissage à l'échelle nanométrique

La rugosité de surface est contrôlée à Ra≤0.2μm, et le polissage mécano-chimique (CMP) combiné à la gravure au plasma est utilisé pour réduire efficacement l'adsorption des particules, et la propreté est conforme à la norme SEMI F47 (nombre de particules ≤10 /[email protected](µm).

Revêtement antisalissure (en option)

Le revêtement de surface en carbure de silicium ou en nitrure de silicium peut être personnalisé pour réduire le coefficient de frottement de la surface de contact de la plaquette (μ≤0.05), réduisant ainsi le risque de rayures et de migration d'ions métalliques.

Détail rapide:

1. Autres noms : bateau en quartz, support de plaquette.

2. Application : Transport et transmission dans un processus à haute température de plaquettes semi-conductrices, adapté à la diffusion, à l'oxydation et à d'autres processus.

3. Paramètres de base : pureté ≥ 99.99 %, résistance à la température maximale 1200 ℃, coefficient de dilatation thermique 5.5 × 10^-7/℃.

1. Traitement des plaquettes semi-conductrices (four de diffusion, four d'oxydation).

2. Traitement des plaquettes de silicium dans l'industrie photovoltaïque.

3. Roulement à plaquettes expérimental haute température de qualité laboratoire.

Pureté leader dans l'industrie, teneur en impuretés métalliques < 1 ppm.

Longue durée de vie (≥ 500 cycles à haute température).

Prise en charge de la personnalisation non standard, cycle de livraison court.