EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Tube de four de diffusion en quartz de haute pureté
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | Semixlab |
| Numéro de modèle: | Qwb-2025 |
| Attestation: | ISO9001. |
| Quantité minimum: | 10 |
| Prix: | Contactez-nous pour un devis personnalisé |
| Détails de l'emballage: | Mousse antistatique + caisses en bois (personnalisables) |
| Délai de livraison : | Délai de livraison : 20 à 35 jours après confirmation de la commande |
| Conditions de paiement: | T / T |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000 unités/mois |
Description
Le tube de four de diffusion en quartz de haute pureté est spécialement conçu pour le procédé de diffusion à haute température dans la fabrication de plaquettes de semi-conducteurs. Il est fabriqué à partir de sable de quartz synthétique de très haute pureté (SiO).2Pureté ≥ 99.999 %). Conforme aux exigences strictes de propreté, de stabilité thermique et d'inertie chimique des procédés avancés inférieurs à 7 nm. Produits fabriqués par fusion à l'arc et usinage de précision, garantissant la stabilité de la structure dans un environnement à haute température de 1200 XNUMX °C. Largement utilisés pour le dopage phosphore/bore, la croissance d'oxydes et d'autres procédés clés.
Matériaux et caractéristiques du noyau
Matériau de très haute pureté
Pureté SiO₂ : ≥ 99.999 % (qualité 5N), élément d'impureté total ≤ 2 ppm (conformément à la norme SEMI F63).
Contrôle des impuretés clés : Li+Na+K≤0.5ppm, Fe≤0.1ppm, Al≤0.3ppm, B≤0.05ppm (éviter les interférences de dopage).
Teneur en hydroxyle : ≤ 1 ppm (après traitement de déshydroxylation pour éviter les défauts de plaquette causés par le dégagement d'hydrogène à haute température).
Optimisation des performances thermiques
Coefficient de dilatation thermique : 5.5×10-7K-1(20-1000 °C), évitant les fissures de déformation causées par des changements brusques de température.
Point de ramollissement : 1680℃, température de travail à long terme ≤1250℃ (prend en charge le processus de montée et de refroidissement rapide).
Résistance aux chocs thermiques : résiste à 1200℃ → cycle de trempe à température ambiante ≥ 200 fois (vérification de la norme ASTM C338).
Inertie chimique et propreté
Résistance à la corrosion : résistant au HF, HCl, HNO₃ et autres acides forts (taux de perte de poids ≤ 0.005 mg/cm²·h).
Propreté de surface : Ra≤0.1μm (polissage CMP), particules ≤5/m2 (@0.1μm, conformément à la classe ISO 1).
Contrôle de la pollution métallique : résidus métalliques de surface ≤ 0.1 ppb (détection ICP-MS).
Détail rapide:
1. Autres noms : tube de réaction en quartz, tube de four à haute température.
2. Application : Procédé de diffusion de plaquettes.
3. Paramètres de base : Pureté ≥ 99.995 %, résistance à la température 1600 ℃, diamètre intérieur 20-300 mm.
DONNÉES TECHNIQUES
| Paramètre | indice |
| Pureté du matériau | ≥ 99.995 % SiO₂ |
| Température de fonctionnement maximale | 1600℃ (fonctionnement continu) |
| Résistance aux chocs thermiques | ΔT=1000℃le refroidissement par eau ne casse pas |
| Plage de diamètre intérieur | 20-300 mm (tolérance ± 0.5 mm) |
| Longueur personnalisée | 500-3000mm |
Applications
Dopage par diffusion à haute température.
Source de diffusion à l'état solide phosphore/bore (1000-1200℃).
Procédé de recuit thermique rapide (RTA) (vitesse de montée/refroidissement ≥ 100 ℃/s).
Avantage concurrentiel
Pureté ultra élevée et résistance à la cristallisation, prolongent la durée de vie du tube du four.
Prend en charge la conception de structures complexes, s'adapte aux diverses exigences de processus.
Contrôle strict des tolérances dimensionnelles (± 0.5 mm).
