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Nacelle de plaquettes SiC haute pureté
En tant que fabricant et fournisseur chinois leader de supports de plaquettes en carbure de silicium (SiC) de haute pureté, Semixlab propose des supports largement utilisés dans des étapes clés de procédés tels que le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), l'oxydation et le recuit, grâce à leur excellente stabilité thermique, leur résistance à la corrosion et leur robustesse mécanique. Si vous recherchez un support de plaquettes en SiC minimisant la contamination particulaire, prolongeant sa durée de vie et garantissant la sécurité des plaquettes, ce produit est la solution idéale.
Description
Dans le domaine de la fabrication des semi-conducteurs, les procédés à haute température imposent des défis considérables aux supports de plaquettes. Lorsque la température dépasse 1 600 °C, le support en quartz traditionnel (la plaquette est conservée dans un creuset en quartz) commence à se ramollir et à se déformer, libérant ainsi des polluants et entraînant une forte augmentation du taux de rebut des plaquettes.
Le porte-plaquettes en SiC de haute pureté, grâce aux avantages inhérents du carbure de silicium (SiC), résout complètement ce problème majeur de l'industrie et devient un outil essentiel pour la fabrication avancée de semi-conducteurs, en particulier la production de dispositifs de puissance en SiC.
Spécifications techniques
Principales propriétés physiques et paramètres techniques du produit :
| Indicateurs de performance | Nacelle de plaquettes SiC haute pureté | porte-quartz traditionnel | Avantages améliorés |
| Température de fonctionnement maximale | 1800°C (continu) / 2000°C (pic) | 1200 ° C | Résistance à la température améliorée de 50 % |
| La conductivité thermique | 4.9 W/cm·K (température ambiante) | 1.5 W / cm·K | L'efficacité de la dissipation de chaleur a augmenté de 226 %. |
| Coefficient de dilatation thermique | 4-5 × 10⁻⁶/K | 0.55 × 10⁻⁶/K | La stabilité thermique a été améliorée de 7 fois. |
| Dureté | Dureté Mohs 9.2 (seul le diamant la surpasse) | Mohs 7 | La résistance à l'usure a été multipliée par 30. |
| Contrainte au point de contact de la plaquette | <5 MPa (conception antidérapante) | > 20 MPa | Le taux de glissement des plaquettes a été réduit de 80 %. |
| Libération de particules | 0 particules/cm² (Classe de propreté 100) | >50 particules/cm² | Pollution proche de zéro |
Les excellentes performances du porte-plaquettes en carbure de silicium (porte-plaquettes SiC) sont dues à ses propriétés uniques. Vous trouverez ci-dessous une comparaison détaillée des principaux paramètres physiques :
Ces paramètres se traduisent directement par une amélioration du rendement et une réduction des coûts dans la fabrication des semi-conducteurs, comme le montre ce qui suit :
Avantage en matière de performances thermiques : la large bande interdite du SiC (3.26 eV) garantit le maintien d’une structure cristalline stable à 2 000 °C et évite toute déformation thermique. Sa conductivité thermique élevée (4.9 W/cm·K) permet un chauffage plus uniforme de la plaquette et élimine les défauts de réseau induits par les contraintes thermiques.
Résistance mécanique : Sa dureté de 9.2 sur l’échelle de Mohs lui confère une excellente résistance aux chocs durant le processus, et sa durée de vie est plus de 10 fois supérieure à celle des supports en quartz traditionnels. La conception unique de la fente semi-circulaire limite la contrainte de contact de la plaquette à moins de 5 MPa, éliminant ainsi quasiment tout risque de glissement à haute température.
Inertie chimique : La tolérance aux gaz hautement corrosifs tels que HF et HCl dépasse 10 000 heures, et aucune pollution n'est maintenue dans les procédés LPCVD, de diffusion, d'oxydation et autres.
Applications
Le rôle clé du porte-plaquettes en SiC de haute pureté
Notre porte-plaquettes en SiC de haute pureté est largement utilisé dans les principaux procédés de fabrication de semi-conducteurs suivants :
Recuit à haute température : Dans la chaîne de production des fabricants de plaquettes de silicium, le recuit à haute température est une étape cruciale pour activer les dopants et corriger les défauts du réseau cristallin. La stabilité à haute température du porte-plaquettes de silicium garantit l'uniformité et l'efficacité du processus de recuit.
Croissance épitaxiale : Qu’il s’agisse d’épitaxie à base de silicium ou d’épitaxie sur plaquette de carbure de silicium, la résistance aux hautes températures et à la corrosion du support en SiC en fait un support idéal pour garantir une croissance de couche épitaxiale de haute qualité.
La diffusion: Dans le four de diffusion à haute température, le porte-plaquettes en SiC du porte-plaquettes LPCVD peut résister à un traitement à haute température de longue durée pour assurer une diffusion uniforme des atomes dopants et former des propriétés électriques précises.
Dépôt de couche mince : En particulier pour les applications de bateaux de plaquettes Lpcvd, le très faible détachement de particules et l'excellente conductivité thermique des bateaux de plaquettes en SiC contribuent à obtenir des films de haute qualité et de haute uniformité.
Compatibilité des équipements et des procédés :
✔ Compatible avec les fours LPCVD courants (tels que TEL, Kokusai, ASM, SVG, Tystar, etc.)
✔ Spécifications de plaquettes personnalisables, telles que 100 mm/150 mm/200 mm
✔ Prend en charge l'installation d'équipements de traitement horizontaux et verticaux
Le porte-plaquettes SiC de Semixlab est un choix idéal pour améliorer l'efficacité de vos processus et le rendement de vos produits, et fait figure de leader dans les solutions avancées de porte-plaquettes pour semi-conducteurs.
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