Matériaux appliqués Bague en quartz AMAT

Semixlab fournit un anneau en quartz de haute précision. Ce produit est principalement utilisé pour assurer le dépôt stable de films de haute qualité lors du procédé PECVD, tout en optimisant l'efficacité de production de l'équipement et le rendement des plaquettes. La distribution du plasma est limitée par une précision géométrique (± 0.1 mm), le champ d'écoulement du gaz de réaction est optimisé et l'uniformité du film est améliorée à σ ≤ 1.5 %. Les sous-produits du procédé d'adsorption ont permis de réduire le taux de défauts des plaquettes de 30 %.

Détail rapide:

Surnoms: Anneau de quartz, support de plaquette de silicium, kit d'anneau de quartz, kit d'anneau de quartz, anneau de chambre supérieure, anneau de dépôt PECVD, anneau de distribution de gaz

Objectif : Assurer le dépôt stable de films de haute qualité dans le processus PECVD, tout en maximisant l'efficacité de production de l'équipement et le rendement des plaquettes.

Paramètres de base : Il est particulièrement recommandé pour les procédés de dépôt de SiN (nitrure de silicium) et le quartz haute pureté. Des services de revêtement spéciaux peuvent également être proposés. Il résiste à des températures élevées de 300 à 400 °C et plus, à l'érosion plasma, avec une pureté du quartz ≥ 99.99 %, une teneur en impuretés métalliques inférieure à 5 ppm, un diamètre de bulles/inclusions ≤ 0.1 mm et un nombre ≤ 3 par centimètre cube.

Fonctions et rôles principaux :

●Composants clés de la chambre : Situés à l'intérieur de la chambre de procédé PECVD, ils constituent une limite importante de la zone de réaction.

●Résistance aux hautes températures et au plasma : Fabriqué en quartz de haute pureté, il présente une excellente résistance aux hautes températures (la température du processus PECVD est généralement comprise entre 300 °C et 400 °C+) et une résistance à l'érosion par plasma.

●Isolation électrique : Il joue un rôle crucial dans l’isolation électrique à l’intérieur de la chambre, assurant la génération stable du plasma et l’uniformité du processus.

●Étanchéité au gaz de procédé :Aider à maintenir l’étanchéité de l’environnement du gaz de procédé dans la chambre.

●La définition de l'environnement du processus de fabrication des plaquettes : Sa géométrie et son état de surface affectent directement la distribution du flux de gaz et du plasma au-dessus de la plaquette, ce qui est crucial pour l'uniformité et la qualité du dépôt de couches minces.

●Revêtement de surface : Certains anneaux de quartz utilisés dans des processus spécifiques (tels que SiN) peuvent être recouverts de revêtements spéciaux (tels que l'oxyde d'yttrium Yttria) pour réduire davantage le dépôt de sous-produits ou améliorer les performances et la durée de vie dans des processus spécifiques.

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